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半导体分立器件的命名方法
晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里主要讲下欧系和日系的命名规则，不详述美系和我国的命名规则。
1）国际电子联合会半导体器件命名法（欧系用的多）
表10国际电子联合会半导体器件型号命名法
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | ||||||
用字母表示使用的材料 | 用字母表示类型及主要特性 | 用数字或字母加数字表示登记号 | 用字母对同一型号者分档 | ||||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 |
A | 锗材料 | A | 检波、开关和混频二极管 | M | 封闭磁路中的霍尔元件 | 三 | 通用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） | A | 同一型号器件按某一参数进行分档的标志 |
B | 变容二极管 | P | 光敏元件 | ||||||
B | 硅材料 | C | 低频小功率三极管 | Q | 发光器件 | ||||
D | 低频大功率三极管 | R | 小功率可控硅 | ||||||
C | 砷化镓 | E | 隧道二极管 | S | 小功率开关管 | ||||
F | 高频小功率三极管 | T | 大功率可控硅 | 一 | 专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） | ||||
D | 锑化铟 | G | 复合器件 | U | 大功率开关管 | ||||
H | 磁敏二极管 | X | 倍增二极管 | ||||||
R | 复合材料 | K | 开放磁路中的霍尔元件 | Y | 整流二极管 | ||||
L | 高频大功率三极管 | Z | 稳压二极管即齐纳二极管 | ||||||
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
(4) 日本半导体器件型号命名法
日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：
M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。
N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。
Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。
H－日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。
T－日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。
G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。
S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。
第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数hFE的分档标志。
表12 日本半导体器件型号命名法
第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 | 第五部分 | |||||
用数字表示类型 | S表示日本电子工业协会（EIAJ）的注册产品 | 用字母表示器件 | 用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号 | 用字母表示 | |||||
符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 |
0 | 光电(即光敏)二极管、晶体管及其组合管 | S | 表示已在日本电子工业协会(EIAJ)注册登记的半导体分立器件 | A | PNP型高频管 | 四位以上的数字 | 从11开始，表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号，不同公司性能相同的器件可以使用同一顺序号，其数字越大越是近期产品 | ABCDEFLL | 用字母表示对原来型号的改进产品 |
B | PNP型低频管 | ||||||||
C | NPN型高频管 | ||||||||
D | NPN型低频管 | ||||||||
1 | 二极管 | F | P控制极可控硅 | ||||||
2 | 三极管、具有两个以上PN结的其他晶体管 | G | N控制极可控硅 | ||||||
H | N基极单结晶体管 | ||||||||
J | P沟道场效应管 | ||||||||
K | N沟道场效应管 | ||||||||
3 | 具有四个有效电极或具有三个PN结的晶体管 | M | 双向可控硅 | ||||||
| 具有n个有效电极或具有n-1个PN结的晶体管 | ||||||||
日本半导体器件型号命名法有如下特点：
1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。
3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。
5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。
7) 在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率fT为100MHz，所以，它们也可当高频管用。
8) 日本通常把Pcm31W的管子，称做大功率管。
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