海南:出台规定列明情形防止插手干扰纪律审查
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AS4C512M8D3-12BxN是半导体存储器领导品牌ALLIANCE MEMORY推出的第三代双倍数据率同步动态随机存储器（DDR3 SDRAM），其存储容量为4Gb（512M x 8bit）。该款芯片通过双倍数据率架构的设计，可根据两个不同时钟对数据进行锁存，通过该种方式，AS4C512M8D3-12BxN可在与其他普通SDRAM相同时钟频率的情况下，将数据传输速率提升一倍，或者在时钟频率仅为普通SDRAM一半时，也可获得相同数据传输速率，即降低了时钟频率，这意味着降低了硬件设计的难度。AS4C512M8D3-12BxN的最高时钟频率为800MHz，当以每个IO口计算数据传输速率时，其最高速度可达1600Mb/s。该款芯片在使用时分为8个Bank，每个Bank为64Mbit x 8 ，采用完全同步操作，并且符合JEDEC时钟抖动规范。
AS4C512M8D3-12BxN符合JEDEC标准，其商业级工作温度范围为0~95℃，工业级工作温度范围为-40~95℃。该芯片采用78球的FBGA封装，封装尺寸为9mm x 10.5mm x 1.2mm，大容量小尺寸，在保证需求的基础上，提高了硬件设计的灵活性。
AS4C512M8D3-12BxN的主要特点：
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供电电压：+1.5V±0.075V；
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最高时钟速率800MHz；
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内部容量：4Gb（512M x 8bit）；
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最高数据率(以每个IO口的数据率计)：1600Mb/s；
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支持自动刷新和自我更新；
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采用FBGA封装，封装尺寸：9mm x 10.5mm x 1.2mm；
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工作温度范围：商业级（0~95℃），工业级（-40~95℃）；
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符合JEDEC时钟抖动要求；
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兼容JEDEC标准；
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符合RoHS要求。
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